Az YMIN vékonyréteg-kondenzátorok tökéletesen kiegészítik az Infineon CoolSiC™ MOSFET G2-jét
Az Infineon új generációs szilícium-karbid CoolSiC™ MOSFET G2 tranzisztora vezető innovációt képvisel az energiagazdálkodásban. Az YMIN vékonyréteg-kondenzátorok alacsony ESR-kialakításukkal, magas névleges feszültségükkel, alacsony szivárgási áramukkal, magas hőmérsékleti stabilitásukkal és nagy kapacitássűrűségükkel erős támogatást nyújtanak ehhez a termékhez, elősegítve a magas hatásfok, a nagy teljesítmény és a nagy megbízhatóság elérését, így új megoldást kínálnak az elektronikus eszközök energiaátalakítására.
Az YMIN jellemzői és előnyeiVékonyréteg-kondenzátorok
Alacsony ESR:
Az YMIN vékonyréteg-kondenzátorok alacsony ESR-kialakítása hatékonyan kezeli a tápegységekben fellépő nagyfrekvenciás zajt, kiegészítve a CoolSiC™ MOSFET G2 alacsony kapcsolási veszteségeit.
Nagy névleges feszültség és alacsony szivárgás:
A YMIN vékonyréteg-kondenzátorok nagy névleges feszültsége és alacsony szivárgási árama fokozza a CoolSiC™ MOSFET G2 magas hőmérsékleti stabilitását, robusztus támogatást nyújtva a rendszer stabilitásához zord környezetben.
Magas hőmérsékleti stabilitás:
A YMIN vékonyréteg-kondenzátorok magas hőmérsékleti stabilitása a CoolSiC™ MOSFET G2 kiváló hőkezelésével kombinálva tovább növeli a rendszer megbízhatóságát és stabilitását.
Nagy kapacitássűrűség:
A vékonyréteg-kondenzátorok nagy kapacitássűrűsége nagyobb rugalmasságot és helykihasználást kínál a rendszertervezésben.
Következtetés
Az YMIN vékonyréteg-kondenzátorok, mint az Infineon CoolSiC™ MOSFET G2 ideális partnerei, nagy potenciált mutatnak. A kettő kombinációja javítja a rendszer megbízhatóságát és teljesítményét, jobb támogatást nyújtva az elektronikus eszközökhöz.
Közzététel ideje: 2024. május 27.