Az YMIN vékonyréteg-kondenzátorok tökéletesen kiegészítik az Infineon CoolSiC™ MOSFET G2-jét
Az Infineon új generációs szilícium-karbid CoolSiC™ MOSFET G2-je az energiagazdálkodás vezető innovációja.Az YMIN vékonyréteg-kondenzátorok alacsony ESR kialakításukkal, nagy névleges feszültségükkel, alacsony szivárgási áramukkal, magas hőmérsékleti stabilitásukkal és nagy kapacitássűrűségükkel erős támogatást nyújtanak ehhez a termékhez, elősegítve a nagy hatékonyság, nagy teljesítmény és nagy megbízhatóság elérését, így új megoldás az elektromos eszközök teljesítményátalakítására.
Az YMIN jellemzői és előnyeiVékonyréteg-kondenzátorok
Alacsony ESR:
Az YMIN vékonyréteg-kondenzátorok alacsony ESR-kialakítása hatékonyan kezeli a tápegységek magas frekvenciájú zaját, kiegészítve a CoolSiC™ MOSFET G2 alacsony kapcsolási veszteségét.
Magas névleges feszültség és alacsony szivárgás:
Az YMIN vékonyréteg-kondenzátorok nagy névleges feszültségének és alacsony szivárgási áramának jellemzői fokozzák a CoolSiC™ MOSFET G2 magas hőmérsékleti stabilitását, és erőteljes támogatást nyújtanak a rendszer stabilitásához zord környezetben.
Magas hőmérsékleti stabilitás:
Az YMIN vékonyréteg-kondenzátorok magas hőmérsékleti stabilitása a CoolSiC™ MOSFET G2 kiváló hőkezelésével kombinálva tovább növeli a rendszer megbízhatóságát és stabilitását.
Nagy kapacitású sűrűség:
A vékonyréteg-kondenzátorok nagy kapacitássűrűsége nagyobb rugalmasságot és helykihasználást tesz lehetővé a rendszertervezésben.
Következtetés
Az YMIN vékonyréteg-kondenzátorok, mint az Infineon CoolSiC™ MOSFET G2 ideális partnerei, nagy lehetőségeket mutatnak.A kettő kombinációja javítja a rendszer megbízhatóságát és teljesítményét, jobb támogatást nyújtva az elektronikus eszközök számára.
Feladás időpontja: 2024. május 27